Opis

• Title:
  Sposób wytwarzania monolitycznych lateralnych warstw krzemowych na multikrystalicznych podłożach Si : opis patentowy nr 212768
• Creator:
  Olchowik, Jan Marian.
• Contributor:
  Politechnika Lubelska. Uprawaniony z patentu;
  Milczek, Tomasz (1950- ) (oprac.)
• Description:
  Sposób wytwarzania monolitycznych lateralnych warstw krzemowych na multikrystalicznych podłożach Si dla zastosowań fotowoltaicznych polega na tym, że podłoża z multikrystalicznego krzemu utlenia się, tworząc na jego powierzchni cienką warstwę SiO2, w której fotolitograficznie wytwarza się siatkę otwartych okien krzemowych i tak przygotowaną powierzchnię wprowadza się w atmosferze argonu w kontakt z nasyconą atomami krzemu roztopioną cyną, znajdującą się w gradientowym polu temperaturowym o malejącej temperaturze w kierunku podłoża, stwarzając w ten sposób dogodne warunki dla dostarczania atomów Si z roztworu Sn do otwartej w SiO2 siatki okien krzemowych i rozwijania lateralnego wzrostu monolitycznej krzemowej warstwy.
• Object availability:
  Dostęp otwarty
• Rights:
  Politechnika Lubelska
• Date:
  2014;
  2007.05.04;
  2008.11.10;
  2012.11.30
• Type:
  Opis patentowy
• Coverage:
  H01L 21/00 (2006.01) Int. Cl.
• Format:
  application/pdf;
  full-text searchable
• Publisher:
  Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (wyd. oryg.);
  Politechnika Lubelska (wyd. cyfrowe)
• Relation:
  Opis zgłoszeniowy wynalazku PL 382359 (A1) 10.11.2008.;
  Nr zgłoszenia: 382359.
• Data provider:
  Biblioteka Cyfrowa Politechniki Lubelskiej
• Can I use it?:
  poproś o pozwolenie
• Type:
  obrazy