Opis

• Tytuł:
  Sposób wytwarzania płaskich krzemowych warstw krawędziowych na powierzchni SiO2 : opis patentowy nr 194459
• Twórca:
  Olchowik, Jan Marian
• Współtwórca:
  Politechnika Lubelska. Uprawaniony z patentu;
  Milczek, Tomasz (1950- ) (oprac.)
• Opis:
  Sposób wytwarzania płaskich krzemowych warstw krawędziowych na powierzchni SiO2, znamienny tym, że warstwę hoduje się na monokrystalicznym podłożu Si, utlenionym w czasie 1 h w atmosferze suchego tlenu przy temperaturze 900°C, wynikiem czego jest wytworzenie warstwy SiO2 o grubości 1000 Å,w której to po fotolitograficznym wytrawieniu siatki wzajemnie równoległych, szerokich na 10 mm i odległych od siebie o 100 mm okien, trawionych w ciągu 60 min. w roztworze NH4F:H2O2, za pomocą metody epitaksji z fazy ciekłej z roztworu Sn:Si, nasyconego w temperaturze 920°C wytwarzania się warstwy Si krawędziowe, rozwijające się nad powierzchnią SiO2 prostopadle względem siatki otwartych okien, łączących się ze sobą bezdyslokacyjnie w przestrzeni międzyokiennej.
• Dostępność obiektu:
  Dostęp otwarty
• Prawa:
  Politechnika Lubelska
• Data:
  2000.03.31;
  2001.10.08;
  2007.06.29;
  2013
• Typ:
  Opis patentowy
• Zakres:
  C01B 33/02 (2006.01) Int. Cl.;
  C23C 14/16 (2006.01) Int. Cl.;
  C23C 14/04 (2006.01) Int. Cl.
• Format:
  application/pdf;
  full-text searchable
• Wydawca:
  Politechnika Lubelska
• Relacja:
  Opis zgłoszeniowy wynalazku PL 339396 (A1) 08.10.2001.;
  Nr zgłoszenia: 339396.
• Dostawca danych:
  Biblioteka Cyfrowa Politechniki Lubelskiej
• Czy mogę z tego obiektu skorzystać?:
  poproś o pozwolenie
• Rodzaj zawartości:
  obrazy