Opis

• Tytuł:
  Badanie warunków osadzania heterostruktur (Ga, In) As/GaAs przeznaczonych do wytwarzania przyrządów półprzewodnikowych
• Twórca:
  Radziewicz, Damian
• Współtwórca:
  Licznerski, Benedykt. (Prom.)
• Dostępność obiektu:
  Dostęp otwarty
• Prawa:
  Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright);
  Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku
• Data:
  2001.12.31;
  2001
• Typ:
  rozprawa doktorska
• Język:
  polski
• Wydawca:
  Politechnika Wrocławska
• Relacja:
  Politechnika Wrocławska. Wydział Elektroniki
• Temat i słowa kluczowe:
  półprzewodniki;
  arsenek galowo-indowy;
  epitaksja;
  osadzanie;
  MOVPE;
  studnia kwantowa;
  heterostruktura;
  warstwa;
  diody;
  detektory;
  fotoodbiorniki
• Dostawca danych:
  Dolnośląska Biblioteka Cyfrowa
• Czy mogę z tego obiektu skorzystać?:
  poproś o pozwolenie
• Rodzaj zawartości:
  teksty