Federacja Bibliotek Cyfrowych

Strona główna
Repozytorium Publikacji Naukowych Politechniki Śląskiej
Recenzja rozprawy doktorskiej mgra inż. Krzysztofa Przybyły pt. Analiza i badania wysokoczęstotliwościowych falowników klasy DE z tranzystorami MOSFET na bazie SiC i GaN

Szczegóły obiektu: Recenzja rozprawy doktorskiej mgra inż. Krzysztofa Przybyły pt. Analiza i badania wysokoczęstotliwościowych falowników klasy DE z tranzystorami MOSFET na bazie SiC i GaN

tile.noImage

Instytucja dostarczająca:Repozytorium Publikacji Naukowych Politechniki Śląskiej

Opis

Tytuł:
Recenzja rozprawy doktorskiej mgra inż. Krzysztofa Przybyły pt. Analiza i badania wysokoczęstotliwościowych falowników klasy DE z tranzystorami MOSFET na bazie SiC i GaN
Twórca:
Rąbkowski, Jacek
Dostępność obiektu:
Dostęp otwarty
Prawa:
własność autora - umowa licencyjna PŚ
Data:
2019.12.31;
2019
Typ:
recenzja rozprawy doktorskiej
Język:
polski
Format:
application/pdf
Relacja:
Wydział Elektryczny. Politechnika Warszawska
Identyfikator: Katalog Biblioteki ;Baza „Dorobek”
Dostawca danych:
Repozytorium Publikacji Naukowych Politechniki Śląskiej

Czy mogę z tego obiektu skorzystać?:
poproś o pozwolenie
Rodzaj zawartości:
pozostałe

Podobne obiekty

tile.noImage

Recenzja rozprawy doktorskiej mgra inż. Piotra Zimocha pt. Analiza i badania dwufazowych quasi-rezonansowych przekształtników DC/DC podwyższających napięcie z tranzystorami SiC i GaN

Twórca:Rąbkowski, Jacek

Data:2020.12.31 | 2020

Rodzaj zawartości:pozostałe

tile.noImage

Recenzja rozprawy doktorskiej mgra inż. Krzysztofa Przybyły pt. Analiza i badania wysokoczęstotliwościowych falowników klasy DE z tranzystorami MOSFET na bazie SiC i GaN

Twórca:Rąbkowski, Jacek

Data:2019.12.31 | 2019

Rodzaj zawartości:pozostałe

tile.noImage

A current-source concept for fast and efficient driving of silicon carbide transistors

Twórca:Rąbkowski, Jacek

Data:2013

Rodzaj zawartości:obrazy

tile.noImage

Recenzja rozprawy doktorskiej mgra inż. Krzysztofa Przybyły pt. Analiza i badania wysokoczęstotliwościowych falowników klasy DE z tranzystorami MOSFET na bazie SiC i GaN

Twórca:Rąbkowski, Jacek

Data:2019.12.31 | 2019

Rodzaj zawartości:pozostałe

tile.noImage

Recenzja rozprawy doktorskiej mgra inż. Piotra Legutko pt. Analiza wysokoczęstotliwościowych drajwerów tranzystorów MOSFET mocy stosowanych w falownikach rezonansowych

Twórca:Rąbkowski, Jacek

Data:2017.12.31 | 2017

Rodzaj zawartości:pozostałe

tile.noImage

Recenzja rozprawy doktorskiej mgra inż. Piotra Zimocha pt. Analiza i badania dwufazowych quasi-rezonansowych przekształtników DC/DC podwyższających napięcie z tranzystorami SiC i GaN

Twórca:Rąbkowski, Jacek

Data:2020.12.31 | 2020

Rodzaj zawartości:pozostałe

tile.noImage

Recenzja rozprawy doktorskiej mgra inż. Piotra Legutko pt. Analiza wysokoczęstotliwościowych drajwerów tranzystorów MOSFET mocy stosowanych w falownikach rezonansowych

Twórca:Rąbkowski, Jacek

Data:2017.12.31 | 2017

Rodzaj zawartości:pozostałe

tile.noImage

Problems related to the correct determination of switching power losses in high-speed SiC MOSFET power modules

Twórca:Zięba, Dawid | Rąbkowski, Jacek

Data:2022.03.29

Rodzaj zawartości:obrazy

Projekt FBC TeNe

Projekt dofinansowany z Funduszy Europejskich w ramach Programu Operacyjnego Polska Cyfrowa na lata 2014-2020 (projekt nr POPC.02.04.00-00-0012/20-00)

Więcej informacji o projekcie znajdziesz na stronie: https://tene.fbc.pionier.net.pl/

Fundusze Europejskie. Polska Cyfrowa

Rzeczpospolita Polska

FBC - Federacja Bibliotek Cyfrowych

Unia Europejska - Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Używamy plików cookies, by nieustannie zwiększać komfort przeglądania naszej strony internetowej. W celu uzyskania szczegółowych informacji, prosimy o zapoznanie się z dokumentem Polityki Prywatności