Opis

• Tytuł:
  Optimization of p-type contacts to InGaN-based laser diodes and light emitting diodes grown by plasma assisted molecular beam epitaxy
• Twórca:
  Nowakowski-Szkudlarek, Krzesimir;
  Muzioł, Grzegorz;
  Żak, Mikołaj;
  Hajdel, Mateusz;
  Siekacz, Marcin;
  Feduniewicz-Żmuda, Anna;
  Skierbiszewski, Czesław
• Współtwórca:
  Urbańczyk, Wacław. Redakcja
• Opis:
  Optica Applicata, Vol. 50, 2020, nr 2, s. 323-330
• Dostępność obiektu:
  Dostęp otwarty
• Prawa:
  Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright);
  Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku
• Data:
  2020.12.31;
  2020
• Typ:
  artykuł
• Język:
  angielski
• Źródło:
  <sygn. PWr A3481II>;
  http://aleph.bg.pwr.wroc.pl/F/?func=find-b&request=000122307+&find_code=SYS&adjacent=N&local_base=TUR&x=64&y=13&filter_code_1=WLN&filter_request_1=&filter_code_2=WYR&filter_request_2=&filter_code_3=WYR&filter_request_3=&filter_code_4=WFT&filter_request_4=&filter_code_5=WSB&filter_request_5= ;http://opticaapplicata.pwr.edu.pl
• Wydawca:
  Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
• Relacja:
  Optica Applicata;
  Optica Applicata, Vol. 50, 2020;
  Optica Applicata, Vol. 50, 2020, nr 2;
  Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki
• Temat i słowa kluczowe:
  optyka;
  gallium nitride;
  molecular beam epitaxy;
  contacts
• Identyfikator: DOI: 10.37190/oa200215
• Dostawca danych:
  Dolnośląska Biblioteka Cyfrowa
• Czy mogę z tego obiektu skorzystać?:
  poproś o pozwolenie
• Rodzaj zawartości:
  obrazy