Federacja Bibliotek Cyfrowych

Strona główna
Biblioteka Cyfrowa UMCS
Recombination of non-equilibrium charge carriers in silicon irradiated with high energy ions

Szczegóły obiektu: Recombination of non-equilibrium charge carriers in silicon irradiated with high energy ions

tile.noImage

Instytucja dostarczająca:Biblioteka Cyfrowa UMCS

Opis

Tytuł:
Recombination of non-equilibrium charge carriers in silicon irradiated with high energy ions
Twórca:
Jakubenja, Sergey N.;
Yavid, V. Yu.;
Chelyadinskii, Aleksei R.
Współtwórca:
Wysokiński, Karol Izydor (1951- ). (Red.)
Opis:
artykuł z : Annales Universitatis Mariae Curie-Skłodowska, Sectio AAA, Physica, Vol. 57 (2002), s. 137-143
Dostępność obiektu:
Dostęp otwarty
Prawa:
Biblioteka Uniwersytetu Marii Curie-Skłodowskiej
Data:
2002
Typ:
artykuł
Język:
angielski
Źródło:
Zasoby Biblioteki Głównej UMCS
Format:
image/vnd.djvu
Wydawca:
Uniwersytet Marii Curie-Skłodowskiej (Lublin)
Relacja:
Annales Universitatis Mariae Curie-Skłodowska, Sectio AAA, Physica, Vol. 57 (2002)
Temat i słowa kluczowe:
non-equilibrium charge carriers;
ion implantations;
n-type silicon layers
Dostawca danych:
Biblioteka Cyfrowa UMCS

Czy mogę z tego obiektu skorzystać?:
poproś o pozwolenie
Rodzaj zawartości:
obrazy

Podobne obiekty

tile.noImage

Recombination of non-equilibrium charge carriers in silicon irradiated with high energy ions

Twórca:Jakubenja, Sergey N. | Yavid, V. Yu. | Chelyadinskii, Aleksei R.

Data:2002

Rodzaj zawartości:obrazy

tile.noImage

Optical and term characterization of phase transformation in Zn ion implanted and thermal oxidized quartz

Twórca:Koltashev, V. | Plotnichenko, V. | Privezentsev, V. | Steinman, E. | Tereshchenko, A. | Kolesnikov, N. | Trifonov, A. Yu. | Sakharov, O. A.

Data:2016

Rodzaj zawartości:obrazy

tile.noImage

Badanie metodą kanałowania jonów redystrybucji atomów implantowanych w kryształach żelaza. Praca doktorska = Study by ion channeling method the redistribution of implanted atoms in ion crystals

Twórca:Jagielski Jacek

Data:1990.12.31 | 1990

Rodzaj zawartości:teksty

tile.noImage

Wpływ implantacji jonowej na właściwości mechaniczne stopu kobaltu stellit 6

Twórca:Kamiński, Mariusz

Data:2021

Rodzaj zawartości:teksty

tile.noImage

Wpływ warunków implantacji i obróbki cieplnej na strukturę stopów żelaza. Praca doktorska = Influence of the implantation and heat treatment condictions on the structure of ion alloys

Twórca:Gawlik Grzegorz

Data:1996.12.31 | 1996

Rodzaj zawartości:teksty

tile.noImage

Badanie odkształceń sieci krystalicznej w implantowanej warstwie epitaksjalnej GaN osadzonej metodą MOCVD na podłożu szafirowym o orientacji [001] = Lattice strain study in implanted GaN epitaxial layer deposited by means of MOCVD technique on [001] oriented sapphire substrate

Twórca:Wójcik Marek

Data:2011.12.31 | 2011

Rodzaj zawartości:pozostałe

tile.noImage

HRXRD study of ZnO single crystals bombarded with Ar ions

Twórca:Wójcik Marek

Data:2016.12.31 | 2016

Rodzaj zawartości:pozostałe

tile.noImage

Zastosowanie implantacji jonów do modyfikacji właściwości technicznej warstwy wierzchniej metali

Twórca:Rosiński Witold

Data:1995.12.31 | 1995

Rodzaj zawartości:pozostałe

Projekt FBC TeNe

Projekt dofinansowany z Funduszy Europejskich w ramach Programu Operacyjnego Polska Cyfrowa na lata 2014-2020 (projekt nr POPC.02.04.00-00-0012/20-00)

Więcej informacji o projekcie znajdziesz na stronie: https://tene.fbc.pionier.net.pl/

Fundusze Europejskie. Polska Cyfrowa

Rzeczpospolita Polska

FBC - Federacja Bibliotek Cyfrowych

Unia Europejska - Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Używamy plików cookies, by nieustannie zwiększać komfort przeglądania naszej strony internetowej. W celu uzyskania szczegółowych informacji, prosimy o zapoznanie się z dokumentem Polityki Prywatności