Szczegóły obiektu: Simplifying High-Density Memory: Exploiting Self-Rectifying Resistive Memory with TiO2/HfO2 Bilayer Devices

Podobne obiekty

tile.noImage
tile.noImage
tile.noImage
tile.noImage
tile.noImage
tile.noImage
tile.noImage
tile.noImage
Używamy plików cookies, by nieustannie zwiększać komfort przeglądania naszej strony internetowej. W celu uzyskania szczegółowych informacji, prosimy o zapoznanie się z dokumentem Polityki Prywatności