Opis

• Tytuł:
  Doped cap layer effect on impurity-free vacancy enhanced disordering in InGaAs/InP quantum well structures
• Twórca:
  An, Yu-Peng;
  Wang, Yi-Ding;
  Cao, Feng
• Współtwórca:
  Gaj, Miron. Redakcja;
  Urbańczyk, Wacław. Redakcja
• Opis:
  Optica Applicata, Vol. 40, 2010, nr 1, s. 249-254
• Dostępność obiektu:
  Dostęp otwarty
• Prawa:
  Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright);
  Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku
• Data:
  2010.12.31;
  2010
• Typ:
  artykuł
• Język:
  angielski
• Źródło:
  <sygn. PWr A3481II>;
  http://aleph.bg.pwr.wroc.pl/F/?func=find-b&request=000122307+&find_code=SYS&adjacent=N&local_base=TUR&x=64&y=13&filter_code_1=WLN&filter_request_1=&filter_code_2=WYR&filter_request_2=&filter_code_3=WYR&filter_request_3=&filter_code_4=WFT&filter_request_4=&filter_code_5=WSB&filter_request_5= ;http://opticaapplicata.pwr.edu.pl
• Wydawca:
  Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
• Relacja:
  Optica Applicata;
  Optica Applicata, Vol. 40, 2010;
  Optica Applicata, Vol. 40, 2010, nr 1;
  Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki
• Temat i słowa kluczowe:
  optyka;
  point defects;
  interdiffusion;
  built-in electric field
• Dostawca danych:
  Dolnośląska Biblioteka Cyfrowa
• Czy mogę z tego obiektu skorzystać?:
  poproś o pozwolenie
• Rodzaj zawartości:
  obrazy