Opis

• Tytuł:
  Deterministyczny, stałoprądowy model empiryczny oraz model statystyczny tranzystora MESFET z arsenku galu. = Deterministric, constant current empirical model and statistical model of GaAs MESFET
• Twórca:
  Dobrzański Lech
• Współtwórca:
  Marciniak, Wiesław
• Opis:
  Bibliogr. s. 92-94
• Dostępność obiektu:
  Dostęp ograniczony
• Prawa:
  Prawa zastrzeżone - dostęp ograniczony;
  Zasób chroniony prawem autorskim. Dostęp możliwy tylko dla czytelników upoważnionych przez Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych.;
  Zamknięty
• Data:
  1993.12.31;
  1993
• Typ:
  tekst;
  Praca doktorska
• Język:
  polski
• Źródło:
  ITME, sygn. P/1182;
  http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmePL/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_6192
• Format:
  application/pdf
• Wydawca:
  ITME
• Relacja:
  Prace doktorskie
• Temat i słowa kluczowe:
  Materiały elektroniczne;
  Elektronika - materiały;
  MESFET;
  model statystyczny;
  model deterministyczny;
  układ scalony;
  GaAs
• Dostawca danych:
  Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
• Czy mogę z tego obiektu skorzystać?:
  poproś o pozwolenie
• Rodzaj zawartości:
  teksty