Description

• Title:
  Optimisation of LT-GaN nucleation layer growth conditions for the improvement of electrical and optical parameters of GaN layers
• Twórca:
  Wośko, Mateusz
• Współtwórca:
  Urbańczyk, Wacław. Redakcja
• Opis:
  Optica Applicata, Vol. 49, 2019, nr 1, s. 167-176
• Dostępność obiektu:
  free access
• Prawa:
  Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright);
  Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku
• Data:
  2019.12.31;
  2019
• Typ:
  artykuł
• Język:
  English
• Źródło:
  <sygn. PWr A3481II>;
  http://aleph.bg.pwr.wroc.pl/F/?func=find-b&request=000122307+&find_code=SYS&adjacent=N&local_base=TUR&x=64&y=13&filter_code_1=WLN&filter_request_1=&filter_code_2=WYR&filter_request_2=&filter_code_3=WYR&filter_request_3=&filter_code_4=WFT&filter_request_4=&filter_code_5=WSB&filter_request_5= ;http://opticaapplicata.pwr.edu.pl
• Wydawca:
  Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
• Relacja:
  Optica Applicata;
  Optica Applicata, Vol. 49, 2019;
  Optica Applicata, Vol. 49, 2019, nr 1;
  Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki
• Temat i słowa kluczowe:
  optyka;
  GaN;
  nucleation;
  recrystallization;
  metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD);
  nitrides;
  LED;
  MSM;
  MESFET devices
• Identyfikator: DOI: 10.5277/oa190115
• Dostawca danych:
  Dolnośląska Biblioteka Cyfrowa
• Czy mogę z tego obiektu skorzystać?:
  seek permission
• Rodzaj zawartości:
  image