Federacja Bibliotek Cyfrowych

Homepage
Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Wpływ koncentracji donorów na właściwości i koncentrację centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC = Effect of donor concentration on parameters and concentration of defect centers in 4H-SiC epitaxial layers

Object's details: Wpływ koncentracji donorów na właściwości i koncentrację centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC = Effect of donor concentration on parameters and concentration of defect centers in 4H-SiC epitaxial layers

tile.noImage

Provider:Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Description

Title:
Wpływ koncentracji donorów na właściwości i koncentrację centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC = Effect of donor concentration on parameters and concentration of defect centers in 4H-SiC epitaxial layers
Creator:
Kozubal Michał
Description:
Bibliogr. s. 9
Object availability:
free access
Rights:
Rights Reserved - Free Access;
Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms;
Open
Date:
2010.12.31;
2010
Type:
Text;
Article
Language:
Polish
Source:
ITME, sygn. dostępny;
http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmeEN/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_6035
Format:
application/pdf
Publisher:
ITME
Relation:
Electronic Materials
Subject:
Electronic - journal - materials;
Electronic - materials;
4H-SiC;
defect centers;
epitaxial layers
Data provider:
Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Can I use it?:
seek permission
Type:
other

FBC TeNe Project

Project co-financed by European Funds under the Operational Program Digital Poland for 2014-2020 (project no. POPC.02.04.00-00-0012 / 20-00)

More information about the project can be found at: https://tene.fbc.pionier.net.pl

European Funds. Digital Poland

Republic of Poland

Digital Libraries Federation

European Union - European Regional Development Fund

We use files, through the cookie quality improvement layer of our website.For more information, please read the document Privacy Policy